FQA16N50_F109

产品描述

MOSFET 500v QFET

内部编号

生产厂商

数量:246

最小起订量:1
美国加州
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数量:440

最小起订量:1
美国费城
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支付方式

规格书	FQA16N50
封装	Tube
系列	FQA16N50
RoHS	RoHS Compliant
工厂包装数量	30
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
的Vgs（th ）（最大）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	500V
标准包装	30
供应商设备封装	TO-3PN
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	320 mOhm @ 8A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	200W
封装/外壳	TO-3P-3, SC-65-3
输入电容（Ciss ） @ VDS	3000pF @ 25V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	16A (Tc)
闸电荷（Qg ） @ VGS	75nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
晶体管极性	N-Channel
品牌	Fairchild Semiconductor
Id - Continuous Drain Current	16 A
身高	20.1 mm
长度	16.2 mm
通道数	1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	320 mOhms
晶体管类型	1 N-Channel
技术	Si

型号	厂家	产品描述
FQA16N50	Fairchild Semiconductor	MOSFET 500V N-Channel QFET
FQA16N50	rochester electronics
FQA16N25	Fairchild Semiconductor	MOSFET
FQA16N25C	Fairchild Semiconductor	MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
FQA16N25C	rochester electronics

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